如(ru)何讓高(gao)頻感應加(jia)熱設備降低(di)能耗？

感應熱處理是一種新型的節能工藝，但是高頻感應加熱設備選擇或者工藝應用不當，就會造成不必要的工藝電能浪費。因此淬火感應加熱設備廠家建議大家(jia)應(ying)注意以下方面： 

選擇好高(gao)(gao)頻(pin)感(gan)應加(jia)熱(re)(re)(re)設(she)備的(de)頻(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)、功率(lv)(lv)(lv)(lv)與類(lei)型(xing)。頻(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)要(yao)符合(he)透人式加(jia)熱(re)(re)(re)，功率(lv)(lv)(lv)(lv)要(yao)滿足加(jia)熱(re)(re)(re)周(zhou)期較短、熱(re)(re)(re)傳導(dao)損耗少的(de)原(yuan)則，高(gao)(gao)頻(pin)感(gan)應加(jia)熱(re)(re)(re)設(she)備類(lei)型(xing)要(yao)選變頻(pin)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)高(gao)(gao)的(de)、重(zhong)要(yao)配件也(ye)要(yao)考慮。例如(ru)固態電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)的(de)變頻(pin)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)比電(dian)(dian)子管高(gao)(gao)頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)高(gao)(gao)，在同樣能(neng)達到產(chan)品技術條件下，應盡可(ke)能(neng)選用固態電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)，固態電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)中晶體管電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)比晶閘管電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)高(gao)(gao)，因此(ci)應優先選用IGBT或MOSFET電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)。

高頻(pin)感應加熱(re)設備工作(zuo)規范必(bi)須合(he)適。電子管高頻(pin)電源負載調節不(bu)當(dang)，如陽流、柵(zha)流不(bu)合(he)適，特別是欠電壓狀態下，振蕩管陽極(ji)損耗大，加熱(re)效率降低，要(yao)避(bi)免； 

淬火(huo)感應(ying)加熱(re)設備廠家如果想(xiang)配(pei)套數(shu)控(kong)淬火(huo)機床使用，對數(shu)控(kong)淬火(huo)機床要求是：負載系數(shu)高，空運轉時間短。能采用多軸(zhou)、多工位同時加熱(re)的，優先采用多軸(zhou)、多工位結構，以(yi)大(da)批量(liang)生(sheng)產半軸(zhou)類零件為例，一次(ci)加熱(re)比掃描淬火(huo)更節能。 

感(gan)應(ying)器效(xiao)(xiao)率(lv)與設計有極大關(guan)系，優良(liang)感(gan)應(ying)器的(de)效(xiao)(xiao)率(lv)在80%以上，不良(liang)癥應(ying)器的(de)效(xiao)(xiao)率(lv)在30%以下。因此，淬火(huo)感(gan)應(ying)加熱設備廠(chang)家建議要把(ba)好感(gan)應(ying)器設計和制造(zao)這道關(guan)，并在生(sheng)產過程中，不斷進行優化(hua)。